亨斯迈制造具有一系列结构的低痕量金属级季铵,用于半导体配方清洁、刻蚀或去胶应用。亨斯迈季铵兼有低腐蚀速率和易于处理的特点;可提供在水溶液或非水溶液中,浓度都高于TMAH的产品。
2005年,亨斯迈在休斯敦以北约35英里的得克萨斯州伍德兰兹市,设立了亨斯迈先进技术中心(HATC)。这座22万平方英尺的研发基地是全球四大研发基地之一,也是美洲的主要研发中心。亨斯迈于 2020 年完成了最先进洁净室的安装,以开发新的净化技术并生产极低痕量金属胺类。
亨斯迈广泛的胺类和季铵盐加上经验丰富的净化能力,使客户有机会配制出各种的电子级胺类。通过提供净化单个原材料或(含有多种无法提供电子级纯度的成分)预混合物的能力,这项服务可以快速建立原型并放大新配方的规模。